Научно-технический центр "Микроэлектроники" ФТИ им. А.Ф. Иоффе (Санкт-Петербург)

Russia / Leningrad / Bugry / Санкт-Петербург / Политехническая ул., 26 З
 лаборатория, научно-исследовательский институт/центр (НИИ)
 Загрузить фотографию

Исследования по темам:
физика и технология (MBE, MOCVD) кремния и полупроводниковых гетероструктур групп A3B5, А2В6 и A3-N, в особенности низкоразмерных наноструктур (квантовых ям, квантовых нитей и квантовых точек)
электронное материаловедение и диагностика (просвечивающая и сканирующая электронная микроскопия, электронный микроанализ проб, рентгеновская дифракция и топография, электронная Оже-спектроскопия, вторичная ионная масс-спектрометрия, спектроскопия переходо
оптоэлектроника, наноэлектроника, спинтроника на основе низкоразмерных гетероструктур
фотовольтаические преобразователи и солнечные элементы
теория электрических, оптических и квантовых когерентных явлений в полупроводниках
сверхбыстрые процессы и нелинейные оптические явления
полупроводниковые лазерные диоды (CW, DFB и пикосекундные гетероструктурные лазеры, лазеры с электронно-лучевой накачкой), фотодетекторы и фотоэлементы для среднего ИК, ИК, видимого и УФ спектральных диапазонов
импульсные мощные приборы на основе полупроводниковых соединений группы A3B5
Ближайшие города:
Координаты:   60°0'22"N   30°22'1"E

Комментарии

  • Здание запроектировано в 1983 г. ЛО ГИПРОНИИ РАН и построено в конце 80-х для группы ученых ФТИ, возглавляемых академиком Ж.И. Алферовым. Авторы - архитекторы В.Ф. Ершов, А.Д. Бочаров, Е.Ю. Меркурьев.
Данная статья была последний раз изменена 6 лет назад